High Bandwidth Memory
Interface de mémoire d’ordinateur pour la mémoire vive dynamique synchrone empilée en 3D, initialement de Samsung, AMD et SK Hynix
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High Bandwidth Memory
Interface de mémoire d’ordinateur pour la mémoire vive dynamique synchrone empilée en 3D, initialement de Samsung, AMD et SK Hynix
La High Bandwidth Memory (HBM, en français : mémoire à large bande passante) est une interface de mémoire d’ordinateur pour la mémoire vive dynamique synchrone (SDRAM) empilée en 3D (en), initialement de Samsung, AMD et SK Hynix. Elle est utilisée en conjonction avec des accélérateurs graphiques hautes performances, des périphériques réseau, des ASIC de centres de données IA hautes performances, comme cache dans le boîtier de CPU et comme RAM dans le boîtier de processeurs et FPGA à venir, et dans certains supercalculateurs (tels que le NEC SX-...
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La High Bandwidth Memory (HBM, en français : mémoire à large bande passante) est une interface de mémoire d’ordinateur pour la mémoire vive dynamique synchrone (SDRAM) empilée en 3D (en), initialement de Samsung, AMD et SK Hynix. Elle est utilisée en conjonction avec des accélérateurs graphiques hautes performances, des périphériques réseau, des ASIC de centres de données IA hautes performances, comme cache dans le boîtier de CPU et comme RAM dans le boîtier de processeurs et FPGA à venir, et dans certains supercalculateurs (tels que le NEC SX-Aurora TSUBASA et le Fujitsu A64FX (en)). La première puce mémoire HBM a été produite par SK Hynix en 2013 et les premiers appareils à utiliser la HBM étaient les GPU AMD Fiji en 2015. La mémoire à large bande passante a été adoptée par le JEDEC comme norme industrielle en octobre 2013. La deuxième génération, HBM2, a été approuvée par le JEDEC en janvier 2016. JEDEC a officiellement annoncé la norme HBM3 le 27 janvier 2022, et la norme HBM4 en avril 2025. En 2025, les plus grands fabricants de mémoire HBM sont SK Hynix, Samsung Electronics et Micron Technology.
Texte : Wikipédia, CC BY-SA 4.0. · Image : ScotXW (CC BY-SA 4.0) ·